2025年，英特尔将加大3D封装布局版图

(资料图)

英特尔正在积极投入先进制程研发，并同步强化其先进封装业务。目前，该公司正在马来西亚槟城兴建最新的封装厂，以强化2.5D/3D封装布局版图。英特尔表示，预计到2025年，其3D Foveros封装的产能将增加四倍。英特尔副总裁Robin Martin透露，未来槟城新厂将会成为该公司最大的3D先进封装据点。2021年，英特尔宣布将投资71亿美元在槟城峇六拜建造一家全新的半导体封装工厂。英特尔强调，芯片的封装作为处理器和主板之间的物理接口，对产品级性能有着至关重要的作用。先进的封装技术便于各种各样的计算引擎实现跨多进程技术集成，并有助于在系统架构中采用全新方法。英特尔的Foveros封装技术采用3D堆栈来实现逻辑对逻辑的集成，为设计人员提供了极大的灵活性，从而在新设备外形要素中混搭使用技术IP块与各种内存和输入/输出元素。产品可以分成更小的小芯片或块，其中I/O、SRAM和电源传输电路在基础芯片中制造，高性能逻辑小芯片或块堆叠在顶部。此外，英特尔的全新封装功能正在解锁新的设计，通过将EMIB和Foveros技术相结合，允许不同的小芯片和块互连，性能基本上相当于单个芯片。凭借Foveros Omni，英特尔称设计人员利用封装中的小芯片或块可获得更大的通信灵活性。

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